具有高载流子密度的有机半导体器件的数值模拟
摘要：对于具有任意场和密度相关迁移率的掺杂无序半导体的数值解的普遍电荷传输模型，我们给出了全面的描述。我们提出了一个适合的标度方案，并推广了Gummel迭代过程，为当广义Einstein关系成立时的van Roosbroeck方程提供了离散化和线性化方法。我们表明对于高掺杂问题，传统迭代方法是不稳定的，而广义方案则收敛。该方法在注入量大时也具有显著的效率提高，并且重现了传统方法收敛的已知结果。
作者：S. Stodtmann, R. M. Lee, C. K. F. Weiler, A. Badinski
论文ID：1208.3365
分类：Computational Physics
分类简称：physics.comp-ph
提交时间：2012-12-13