基于32纳米CNTFET技术的不同SRAM的设计与建模
摘要：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）是指利用单个碳纳米管或碳纳米管阵列作为通道材料，而不是传统MOSFET结构中的体硅的场效应晶体管。自1998年首次演示以来，CNTFETs已取得了巨大的发展，有望成为未来电子学中取代硅的替代材料。碳纳米管是用于纳米尺度电子器件的有前途的材料，如用于超高密度集成电路的纳米管FET和用于新型智能电路的量子效应器件，这些器件有望在现有硅技术中取得突破。基于已掌握的知识，我们提出了针对传统CNTFET设计的不同SRAM。使用Stanford CNTFET模型对该电路进行的HSPICE模拟显示出了极大的节能效果。
作者：Naagesh S. Bhat
论文ID：1203.1971
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2012-03-12