Si2C和Si3C簇的动态二阶超极化率：利用耦合簇单、双激发响应方法
摘要：Si2C和Si3C簇的动态二阶超极化率γ(-3ω; ω, ω, ω)（用γTHG表示）进行了研究，使用了精确的耦合簇单电子和双电子（CCSD）响应方法。Si2C和Si3C簇的静态γ值分别为1.99 x 10-35和3.16 x 10-35 esu。与Si3和Si4簇的α值类似，Si2C和Si3C簇的γ值比C原子和Si原子的静态γ值更小。
作者：You-Zhao Lan, Yun-Long Feng
论文ID：1008.3488
分类：Atomic and Molecular Clusters
分类简称：physics.atm-clus
提交时间：2017-03-21