使用单个电子记忆电阻作为突触的瓶颈及其解决方法
摘要：记忆电阻器装置在神经形态学系统中模拟生物突触成为广泛认可的选择。这主要是因为，类似于突触的强度，记忆器件的记忆电阻可以被主动调节（例如，通过电压或电流的应用）。此外，通过纳米交叉结构，也可以制造非常高密度的记忆电阻器件（可与真实生物系统中的突触数量相媲美）。然而，在本文中，我们将展示记忆突触（扮演生物突触角色的记忆电阻器件）存在一些问题。例如，我们展示了记忆电阻器件的记忆电阻变化速率完全取决于当前器件的记忆电阻，并因此在学习阶段随时间变化较大。此现象可能降低像脉冲计时相关塑性（STDP）等学习方法的性能，并导致相应的神经形态学系统不稳定。最后，在本文的结尾，我们说明使用两个串联的极性不同的记忆电阻器件作为突触，可以在一定程度上解决上述问题。
作者：Farnood Merrikh-Bayat, Saeed Bagheri Shouraki, Iman Esmaili Paeen Afrakoti
论文ID：1008.3450
分类：Neural and Evolutionary Computing
分类简称：cs.NE
提交时间：2012-11-26