关于纳米级MOSFET蒙特卡洛模拟的自洽事件偏置方案
摘要：15nm n通道MOSFET的粒子模拟Monte Carlo模拟中实施了不同的事件偏置技术。其主要目标是在通道统计和终端电流计算中实现加强和更快的收敛。当器件行为由载流子传输过程中的罕见事件控制时，增强算法尤其有用。在介绍用于解决Boltzmann输运方程的Monte Carlo技术的简要概述之后，讨论了在存在初始条件和边界条件的情况下导出方法的基本步骤。在推导中，首先利用了输运问题的线性性质，初始时忽略了载流子之间的库仑力。在耦合与泊松方程的迭代过程中建立了Hartree载流子方法的推广。结果表明，通过对Boltzmann方程进行偏置得到的粒子权重在解决泊松方程的连续步骤之间得以保留。
作者：Sharnali Islam, Mihail Nedjalkov, and Shaikh Ahmed
论文ID：0910.4781
分类：Computational Physics
分类简称：physics.comp-ph
提交时间：2009-10-27