电压噪声底限小于1 nV/√Hz 的非常简单的场效应管放大器
摘要：小电压信号的场效应晶体管（FET）放大器的设计与构造方式简单，可被任何人制造。尽管其简单性，其电压噪声小于1纳伏/根号赫兹，性能优于市面上可用的集成FET放大器。该放大器在1MHz带宽内的增益平坦度优于1分贝；可作为信号分析仪或信号恢复系统的前端使用。
作者：Luca Callegaro, Marco Pisani, Alessio Pollarolo
论文ID：0811.2866
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2008-11-19