0.15微米SOI技术的模拟和数字像素传感器
摘要：在深亚微米的硅上绝缘体(SOI) CMOS技术中设计、制造和表征了一种单片式像素传感器。这种技术对于粒子跟踪和成像应用非常感兴趣。该原型芯片具有两个模拟区域和一个数字区域的10微米间距像素阵列，每个像素中集成了一个比较器和一个锁存器。利用红外激光和从LBNL Advanced Light Source的注入助推器中提取的1.35 GeV电子束测试了原型响应。还介绍了在LBNL 88英寸环形加速器上进行的低能质子和中子辐照测试的结果。
作者：Marco Battaglia, Dario Bisello, Devis Contarato, Peter Denes, Piero Giubilato, Lindsay E. Glesener, Serena Mattiazzo, Chinh Vu
论文ID：0807.0055
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2008-07-02