高密度三维硅通孔（TSV）
摘要：Silex公司开发的"穿越硅通孔（TSV）"工艺能够提供30微米间距的穿刺式晶圆连接，适用于厚度达到600微米的衬底。与MEMS设计集成后，能够显著减小芯片尺寸，并实现真正的"晶圆级封装"，这些特点在消费市场应用中尤为重要。TSV技术还能实现光学MEMS、传感器和微流控装置中的先进互连功能集成。此外，该通孔技术在与CMOS加工集成方面也具有非常有趣的可能性。由于已有多家公司采用该工艺，具备大规模生产的能力，并且潜在用户不断增加，该工艺正在成为MEMS行业的标准。我们介绍了该通孔形成工艺，并介绍了该技术可提供的一些新颖解决方案。
作者：Magnus Rimskog, Tomas Bauer
论文ID：0805.0922
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-12-18