三维集成的铜电沉积
摘要：三维集成是传统IC集成的方法。由于对更高性能和功能的电子设备以更高效、紧凑的封装提出了更高要求，半导体行业开始开发更先进的封装技术。三维方法通过垂直集成实现了先进和便携电子产品需要的微型化和集成化。垂直集成被证明对于不同技术的更高集成灵活性至关重要，这也是目前行业从二维向三维集成转变的普遍趋势。通过硅通孔（TSV）电铜实现的三维芯片集成被认为是各种三维封装技术中最先进的技术之一。铜电沉积是使TSV结构形成的技术之一。由于其在铜雕刻中的已知应用，人们认为将其应用于填充TSV通孔中会很容易被接受。然而，作为任何新技术的起步阶段，还需要解决一些挑战才能成为成熟的技术。本文将讨论使用铜电沉积进行TSV填充过程的优势和困难，以及解决这些困难的方法。将介绍有机物行为的电化学表征以及其对通孔填充的影响。还将讨论晶圆设计对过程性能和吞吐量的影响，包括为实现无孔填充同时减少加工时间而需要的必要过程优化。
作者：Rozalia Beica, Charles Sharbono, Tom Ritzdorf
论文ID：0805.0916
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-12-18