关于受应力单层和双层亚微米厚薄膜泊松比的确定
摘要：用凸起实验方法确定非常薄的电介质膜的机械性能。通常，这种实验方法可以确定剩余应力（s0）和双向杨氏模量（E /（1-u））。通过使用长宽比不同的正方形和矩形膜，还可以确定泊松比（u）。已经对厚度达到100纳米的LPCVD Si3N4单层和Si3N4 / SiO2双层膜进行了表征，结果与Si3N4的文献一致，E = 212 $pm$ 14 GPa，s0 = 420 $pm$ 8和u = 0.29。
作者：P. Martins (INL), C. Malhaire (INL), S. Brida, D. Barbier (INL)
论文ID：0805.0899
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-12-18