集成的射频微机电系统/互补金属氧化物半导体器件
摘要：基于CMOS芯片的无掩膜后处理技术的研发，实现了高品质因子和紧凑尺寸的射频MEMS平行板电容器的制造。通过多个MEMS/CMOS电容器的仿真和实测结果进行了展示。设计、制造和测试了一个中心频率为9.5 GHz的2极耦合线可调带通滤波器。使用集成的可变MEMS/CMOS电容器实现了17\%的调谐范围，并且品质因子超过20。该可调滤波器占用了1.2 x 2.1 mm^2的芯片面积。
作者：R. R. Mansour, S. Fouladi, M. Bakeri-Kassem
论文ID：0805.0858
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-12-18