MEMS谐振器的0级真空封装RT工艺
摘要：新的室温（RT）0级真空封装在这项工作中得到展示，其中使用非晶硅（aSi）作为牺牲层，SiO2作为结构层。该工艺与大多数MEMS谐振器和谐振悬浮门MOSFET[1]制造工艺兼容。本文介绍了放电孔尺寸对放电时间和孔堵塞的影响进行的研究。讨论了在后端塑料注射过程中的封装应力对大规模生产的兼容性。封装在室温下进行，因此与IC处理的晶片完全兼容，避免了活动器件的任何后续退化。
作者：N. Abel''e, D. Grogg, C. Hibert, F. Casset (LETI), P. Ancey (LETI), A. Ionescu
论文ID：0802.3093
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-02-22