高品质因数的微波MEMS谐振器
摘要：一种高Q值微波（K波段）MEMS谐振器的设计，采用了基板集成波导（SIW）和通过ICP工艺微机械加工的通孔阵列。通过填充金属的通孔阵列和接地层形成非辐射介质波导（NRD）。三维高电阻硅基底填充腔谐振器通过电流探针使用CPW线馈电。这种单片谐振器具有低成本、高性能和与平面电路的容易集成性。测量得到的品质因数超过180，共振频率为21 GHz。与仿真结果相吻合。芯片尺寸仅为4.7毫米x 4.6毫米x 0.5毫米。最后，作为应用的一个例子，设计了使用两个SIW谐振器的滤波器。
作者：Z. Jian, Y. Yuanwei, Z. Yong, Chen Chen, J. Shixing
论文ID：0802.3081
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-02-22