基于牺牲层双点轮廓的可调电容器
摘要：一种基于牺牲层轮廓的新型双间隙可调电容器工艺被提出。该轮廓涉及三层光刻胶工艺，只使用一个掩膜层次。这种实现是基于两个峰值设计的特殊牺牲层轮廓。牺牲层实现的机制取决于光刻胶厚度、光刻胶配方（粘度、聚合物类型和/或溶剂、添加剂...）、图案层设计（尺寸或宽度）以及此层制备的条件：热处理、刻蚀退火过程等。在这个论文中，我们展示了后期参数的影响，并讨论了如何实现双峰值轮廓。
作者：S. Soulimane (LETI), F. Casset (LETI), F. Chapuis (LETI), P.-L. Charvet (LETI), M. a"id (LETI)
论文ID：0802.3078
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-02-22