平面外CMOS兼容磁力计
摘要：使用薄多层悬臂梁中的残余应力，提出了三维MEMS磁强计。基于洛伦兹力偏转的半环悬臂梁通过压阻传感器转换磁通量变化，并安装在韦斯顿电桥中。以0.015 mV/Gauss的灵敏度测量了约10高斯的磁场。通过Ansys开发了该器件的静态和动态模拟的有限元模型。还将新颖的铁磁镍板垂直于平面的磁强计介绍了出来。
作者：M. El Ghorba, N. Andr''e, S. Sobieski, J.-P. Raskin
论文ID：0802.3077
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-02-22