在薄SOI中制作微机电系统(MEMS)谐振器
摘要：用于薄SOI深亚微米谐振器中的微电机（MEM）的简单快速工艺在本文中提出。薄SOI晶片对于先进的CMOS技术非常重要，因此被评估为未来与CMOS电路在单个芯片上共同集成的谐振器基片。由于传导电容与谐振器厚度成比例，因此重要的是制造深亚微米沟槽以实现良好的电容耦合。通过传统紫外光刻和聚焦离子束（FIB）铣削的组合，该工艺仅需要两个光刻步骤，因此为MEM谐振器的快速原型设计提供了一种方法。本文比较了不同的FIB参数和刻蚀参数，并报告了它们对工艺的影响。
作者：D. Grogg, Nicoleta Diana Badila-Ciressan, Adrian Mihai Ionescu
论文ID：0802.3040
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2008-02-22