表面处理对通过深反应离子刻蚀制造的真空微电子器件的影响
摘要：微机系统工艺等材料加工的进展正在为真空微电子学铺平道路。可以使用微系统工艺制造二维真空组件。我们使用单金属层和DRIE的硅微机械加工技术开发了这种器件。后一项技术步骤对真空组件的特性有重要影响。本文介绍了电子发射可能性的简要概述以及导致侧向场发射二极管制造的设计。还讨论了首次测量结果和器件老化情况。
作者：A. Phommahaxay (ESYCOM-Esiee), G. Lissorgues (ESYCOM-Esiee), L. Rousseau (ESYCOM-Esiee), T. Bourouina (ESYCOM-Esiee), P. Nicole
论文ID：0711.3276
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2007-11-29