模拟方法用于分析包括互连电阻在内的模拟/射频电路中基底噪声影响
摘要：基于考虑片上互连的寄生电阻的衍生电荷噪声对模拟/射频电路的影响的新的模拟方法的分析和预测。该方法允许研究模拟/射频电路中独立器件（也包括寄生器件）在整体影响中的作用。通过这种方式，揭示了哪些器件需要加以关注（屏蔽、拓扑变化），以保护电路免受衍生电荷噪声的影响。所开发的方法用于分析衍生电荷噪声对使用高欧姆0.18μm 1PM6 超大规模集成电路（CMOS）技术设计的3 GHz LC-tank电压控制振荡器（VCO）的影响。在这个VCO上（在从直流到15 MHz的研究频率范围内），影响主要是由衍生电荷从衬底到非理想的片上接地互连的耦合引起的，导致模拟接地波动和频率调制。因此，所呈现的测试案例揭示了片上互连在衍生电荷噪声影响现象中的重要作用。
作者：C. Soens, G. Van Der Plas, P. Wambacq, S. Donnay
论文ID：0710.4723
分类：Performance
分类简称：cs.PF
提交时间：2011-11-09