有机半导体器件中的负电容：双极注入和电荷复合机制
摘要：有机半导体二极管在低频率下呈现负电容，但仅在双极注入条件下出现。我们通过电子-空穴湮灭引起的复合电流定量解释了这一现象。将复合电流简单地加入到已建立的带陷阱情况下的空间电荷限制电流模型中，可以很好地拟合实验测量得到的导纳数据。所提取的特征复合时间与偏压的依赖关系表明，该复合过程是由局部陷阱介导的。
作者：E. Ehrenfreund, C. Lungenschmied, G. Dennler, H. Neugebauer, N. S. Sariciftci
论文ID：0706.3933
分类：Chemical Physics
分类简称：physics.chem-ph
提交时间：2007-07-07