基于硅技术的新型光电倍增器的探索
摘要：基于硅技术构建新型光电倍增管的设计与表征：ST-Microelectronics制造的一代新型单光子雪崩二极管(SPAD)的5x5阵列的设计与表征已经完成。在几种实验条件下，评估了SPAD-STM器件的单光子敏感性、暗噪声和时间分辨率。此外，还深入研究了多元件多重集成和它们的共同读取所引起的影响。
作者：S.Priviteraa, S.Tudisco, L.Lanzano, F.Musumeci, A.Pluchino, A.Scordino, A.Campisi, L.Cosentino, P.Finocchiaro, G.Condorelli, M.Mazzillo, S.Lombardo, E.Sciacca
论文ID：0705.0672
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23